| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Single Dual Source |
| Prozesstechnologie | C3M |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 650 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 15 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3.6 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 120 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 250 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 50 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 21@15V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 188@15V |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 58 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 53 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 510 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 5011@400V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 31@400V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.8 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 289 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 416000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 15 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 32 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 57 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 23 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 223 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 4.7 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 6 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 26 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.3 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 15 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 23.6(Max) |
| Verpackungsbreite | 5.21(Max) |
| Verpackungslänge | 16.13(Max) |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-247 |
| Stiftanzahl | 4 |
| Leitungsform | Through Hole |
