ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
SVHC | Yes |
SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Power MOSFET |
Material | SiC |
Konfiguration | Single Dual Source |
Prozesstechnologie | C3M |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 650 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | 19 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3.6 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 22 |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 250 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 50 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 157@15V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 28@15V |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 640@400V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 98000 |
Typische Abfallzeit (ns) | 11 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 11 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 19 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 8 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
Befestigung | Through Hole |
Verpackungshöhe | 23.6(Max) |
Verpackungsbreite | 5.21(Max) |
Verpackungslänge | 16.13(Max) |
Leiterplatte geändert | 4 |
Tab | Tab |
Standard-Verpackungsname | TO |
Lieferantenverpackung | TO-247 |
Stiftanzahl | 4 |