| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Unconfirmed |
| HTS | 8541.29.00.75 |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Material | GaN |
| Konfiguration | Single |
| Typ | JFET |
| Kanalmodus | Depletion |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Betriebsweise | Pulsed RF |
| Prozesstechnologie | HEMT |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 150 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 3 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.3 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 10 |
| Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 4 |
| Ausgabeleistung (W) | 100 |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 12 |
| Max. Frequenz (MHz) | 3500 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 0 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 5 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 5 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 53 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 250 |
| Verpackung | Bulk |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 4.67(Max) |
| Verpackungsbreite | 5.97(Max) |
| Verpackungslänge | 20.45(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Lieferantenverpackung | SOT-467C |
| Stiftanzahl | 3 |
