| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 12 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 8 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.3 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 3.6 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 25 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 0.05 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 76@4.5V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 0.91@4.5V |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 0.15 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 120@6V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1400 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 3 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 4 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 11 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 4 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.85 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.35(Max) |
| Verpackungsbreite | 0.73(Max) |
| Verpackungslänge | 0.64(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Lieferantenverpackung | PicoStar |
| Stiftanzahl | 3 |
