ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
SVHC | Yes |
SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Power MOSFET |
Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
Prozesstechnologie | NexFET |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 25 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.4 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 33 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 2@8V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 18@4.5V |
Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 3.5 |
Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 6.6 |
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 63 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 3070@12.5V |
Typische Ausgangskapazität (pF) | 2190 |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3100 |
Typische Abfallzeit (ns) | 12 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 16 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 32 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 10.5 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Verpackung | Tape and Reel |
Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.1 |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 1.05(Max) |
Verpackungsbreite | 6.1(Max) |
Verpackungslänge | 5.1(Max) |
Leiterplatte geändert | 8 |
Standard-Verpackungsname | SON |
Lieferantenverpackung | SON EP |
Stiftanzahl | 8 |