ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
SVHC | Yes |
SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Power MOSFET |
Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
Prozesstechnologie | NexFET |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 15 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 7.5@8V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 5.1@4.5V |
Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 1.1 |
Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 1.8 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 735@15V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2700 |
Typische Abfallzeit (ns) | 3.1 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 9.1 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 10.4 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 5.1 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Verpackung | Tape and Reel |
Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.3 |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 1 |
Verpackungsbreite | 3.3 |
Verpackungslänge | 3.3 |
Leiterplatte geändert | 8 |
Standard-Verpackungsname | SON |
Lieferantenverpackung | VSON-CLIP EP |
Stiftanzahl | 8 |
Leitungsform | No Lead |