ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.21.00.95 |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Small Signal |
Konfiguration | Single |
Prozesstechnologie | NexFET |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | 12 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.1 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 1.5 |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 50 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 0.1 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 240@8V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 1.01@4.5V |
Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 0.13 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 145@15V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 500 |
Typische Abfallzeit (ns) | 3.4 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 1.3 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 10.6 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 3.3 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Verpackung | Tape and Reel |
Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.85 |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 0.35(Max) |
Verpackungsbreite | 1.04(Max) |
Verpackungslänge | 0.64(Max) |
Leiterplatte geändert | 3 |
Lieferantenverpackung | PicoStar |
Stiftanzahl | 3 |