ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
SVHC | Yes |
SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Power MOSFET |
Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
Prozesstechnologie | NexFET |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 23 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 4@10V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 8.3@4.5V |
Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 2.3 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1270@15V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3200 |
Typische Abfallzeit (ns) | 5.3 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 13 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 13 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 7.5 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Verpackung | Tape and Reel |
Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.3 |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 1 |
Verpackungsbreite | 5.75 |
Verpackungslänge | 4.9 |
Leiterplatte geändert | 8 |
Standard-Verpackungsname | SON |
Lieferantenverpackung | VSONP EP |
Stiftanzahl | 8 |