ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
SVHC | Yes |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Power MOSFET |
Material | Si |
Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
Prozesstechnologie | NexFET |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.9 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 20 |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 10.2@10V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 11.5@10V|5.3@4.5V |
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 11.5 |
Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 1.2 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 768@15V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2500 |
Typische Abfallzeit (ns) | 1 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 5 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 11 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 2 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Verpackung | Tape and Reel |
Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.5 |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungsbreite | 3.1(Max) |
Verpackungslänge | 3.25(Max) |
Leiterplatte geändert | 8 |
Standard-Verpackungsname | SON |
Lieferantenverpackung | VSONP EP |
Stiftanzahl | 8 |
Leitungsform | No Lead |