| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Prozesstechnologie | NexFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 40 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.3 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 100 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 3.2@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 42@10V|20@4.5V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 42 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 5.9 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 3200@20V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3100 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 3.4 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 10 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 20 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 4.7 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.8 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1 |
| Verpackungsbreite | 5.75 |
| Verpackungslänge | 4.9 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | SON |
| Lieferantenverpackung | VSONP EP |
| Stiftanzahl | 8 |
