ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
SVHC | Yes |
SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Power MOSFET |
Material | Si |
Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
Prozesstechnologie | NexFET |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 40 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.3 |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 19 |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 4.3@10V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 13@4.5V|27@10V |
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 27 |
Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 4.3 |
Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 4.5 |
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 52 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 2200@20V |
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 13@20V |
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.5 |
Typische Ausgangskapazität (pF) | 510 |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3100 |
Typische Abfallzeit (ns) | 2.6 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 8.8 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 15 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 4.5 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Verpackung | Tape and Reel |
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W) | 3.1 |
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 321 |
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 50 |
Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.8 |
Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 2 |
Typische Sperrerholungszeit (ns) | 37 |
Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1 |
Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.8 |
Max. Gate-Widerstand (Ohm) | 2.4 |
Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A) | 19 |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 1 |
Verpackungsbreite | 5.75 |
Verpackungslänge | 4.9 |
Leiterplatte geändert | 8 |
Standard-Verpackungsname | SON |
Lieferantenverpackung | VSONP EP |
Stiftanzahl | 8 |
Leitungsform | No Lead |