ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
SVHC | Yes |
SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Power MOSFET |
Material | Si |
Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
Prozesstechnologie | NexFET |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 40 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.4 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 100 |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 2.3@10V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 63@10V|31@4.5V |
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 63 |
Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 11.2 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 4500@20V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3100 |
Typische Abfallzeit (ns) | 5 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 15 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 24 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 6 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.8 |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 1 |
Verpackungsbreite | 5.75 |
Verpackungslänge | 4.9 |
Leiterplatte geändert | 8 |
Standard-Verpackungsname | SON |
Lieferantenverpackung | VSONP EP |
Stiftanzahl | 8 |