| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Prozesstechnologie | NexFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 60 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.2 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 200 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 1.6@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 108@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 108 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 14 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 18 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 323 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 8790@30V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 39@30V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.4 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 1410 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 375000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 4 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 5 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 24 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 11 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Tube |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 400 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.9 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 2.5 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 86 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.8 |
| Max. Gate-Widerstand (Ohm) | 1.4 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 9.25(Max) |
| Verpackungsbreite | 4.7(Max) |
| Verpackungslänge | 10.36(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-220 |
| Stiftanzahl | 3 |
