ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
SVHC | Yes |
SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Power MOSFET |
Material | Si |
Konfiguration | Single |
Prozesstechnologie | NexFET |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3.4 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 200 |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 3.4@10V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 75@10V |
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 75 |
Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 11 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 6100@50V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 300000 |
Typische Abfallzeit (ns) | 15 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 18 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 21 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 9 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
Verpackung | Tape and Reel |
Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.7 |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 4.7(Max) |
Verpackungsbreite | 9.25(Max) |
Verpackungslänge | 10.26(Max) |
Leiterplatte geändert | 2 |
Tab | Tab |
Standard-Verpackungsname | TO-263 |
Lieferantenverpackung | DDPAK |
Stiftanzahl | 3 |
Leitungsform | Gull-wing |