| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Prozesstechnologie | NexFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3.2 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 200 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 2.4@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 118@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 118 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 17 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 9250@50V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 375000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 6 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 8 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 32 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 13 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.5 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 4.7(Max) |
| Verpackungsbreite | 9.25(Max) |
| Verpackungslänge | 10.26(Max) |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO-263 |
| Lieferantenverpackung | DDPAK |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Gull-wing |
