| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Dual Drain |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 8 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | -6 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 7.4 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 9.9@4.5V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 6.5@4.5V |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 1 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1070@4V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 600 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 32 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 14 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 70 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 30 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.7 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.36(Max) |
| Verpackungsbreite | 1.2(Max) |
| Verpackungslänge | 1.2(Max) |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Standard-Verpackungsname | LGA |
| Lieferantenverpackung | LGA |
| Stiftanzahl | 4 |
