| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Dual Drain |
| Prozesstechnologie | NexFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 12 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 6 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.9 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 2.2 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 53@4.5V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 2.9@4.5V |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 0.28 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 394@6V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 21 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 4 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 58 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 9 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.6 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.28(Max) |
| Verpackungsbreite | 1 |
| Verpackungslänge | 1 |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Standard-Verpackungsname | BGA |
| Lieferantenverpackung | DSBGA |
| Stiftanzahl | 4 |
| Leitungsform | Ball |
