| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.21.00.40 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain Quad Source |
| Prozesstechnologie | NexFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | -6 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.05 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 4 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 26@4.5V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 5.8@4.5V |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 0.8 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 1.1 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 19 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 778@10V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 21@10V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.45 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 400 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 500 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 28 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 12 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 64 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 15 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 38 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 220(Typ) |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.75 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 1.4 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 26 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.75 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 6 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.28(Max) |
| Verpackungsbreite | 1.5 |
| Verpackungslänge | 1.5 |
| Leiterplatte geändert | 9 |
| Standard-Verpackungsname | BGA |
| Lieferantenverpackung | DSBGA |
| Stiftanzahl | 9 |
| Leitungsform | Ball |
