ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Small Signal |
Konfiguration | Single |
Prozesstechnologie | FemtoFET |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | P |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 20 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | 12 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.2 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 1.6 |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 50 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 0.1 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 205@8V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 0.959@4.5V |
Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 0.16 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 198@10V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 500 |
Typische Abfallzeit (ns) | 7 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 3.7 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 17.4 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 4.3 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Verpackung | Tape and Reel |
Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.95 |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 0.35(Max) |
Verpackungsbreite | 1.04(Max) |
Verpackungslänge | 0.64(Max) |
Leiterplatte geändert | 3 |
Lieferantenverpackung | PicoStar |
Stiftanzahl | 3 |
Leitungsform | No Lead |