ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Power MOSFET |
Konfiguration | Dual |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 5 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 32.4@10V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 4.6@10V|2.2@4.5V |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 272@15V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2300 |
Typische Abfallzeit (ns) | 3 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 11 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 12 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 3 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Verpackung | Tape and Reel |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 0.75(Max) |
Verpackungsbreite | 2.1(Max) |
Verpackungslänge | 2.1(Max) |
Leiterplatte geändert | 6 |
Standard-Verpackungsname | SON |
Lieferantenverpackung | WSON EP |
Stiftanzahl | 6 |
Leitungsform | No Lead |