| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Material | Si |
| Konfiguration | Dual Common Source |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Prozesstechnologie | DMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 70 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 7 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 20(Min) |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 35 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 7000 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 7000 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 380(Max)@28V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 10(Max)@28V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 180(Max)@28V |
| Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 5.6(Min) |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 438000 |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 16(Min) |
| Max. Frequenz (MHz) | 108 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 65(Min) |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 200 |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 5.08 |
| Verpackungsbreite | 10.16 |
| Verpackungslänge | 34.03 |
| Leiterplatte geändert | 5 |
| Lieferantenverpackung | Case DR |
| Stiftanzahl | 5 |
