| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Unconfirmed |
| HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single Dual Drain |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Prozesstechnologie | DMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 65 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 10(Min) |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 0.2 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 12(Max)@0V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 0.5(Max)@28V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 6(Max)@28V |
| Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 0.18(Min) |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2000 |
| Ausgabeleistung (W) | 0.75 |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 11(Min) |
| Max. Frequenz (MHz) | 2500 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 0 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 40(Min) |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 200 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.6(Max) |
| Verpackungsbreite | 3.7(Max) |
| Verpackungslänge | 6.7(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Lieferantenverpackung | SOT-223 |
| Stiftanzahl | 4 |
