| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single Dual Source |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Prozesstechnologie | DMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 65 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 1 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 12(Max)@0V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 0.5(Max)@28V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 6(Max)@28V |
| Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 0.18(Min) |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 4000 |
| Ausgabeleistung (W) | 0.75(Min) |
| Max. Frequenz (MHz) | 2000 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 0 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 200 |
| Durchmesser | 5.21 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 3.18 |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Standard-Verpackungsname | Case E-16 |
| Lieferantenverpackung | Case E-16 |
| Stiftanzahl | 4 |
