ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
SVHC | Yes |
SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Power MOSFET |
Material | Si |
Konfiguration | Single |
Prozesstechnologie | TMOS |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 40 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 15.2 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 8.5@10V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 37@10V |
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 37 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1970@20V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3100 |
Typische Abfallzeit (ns) | 9 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 12 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 38 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 12 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Verpackung | Tape and Reel |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 2.29 |
Verpackungsbreite | 6.1 |
Verpackungslänge | 6.54 |
Leiterplatte geändert | 2 |
Tab | Tab |
Standard-Verpackungsname | TO-252 |
Lieferantenverpackung | DPAK |
Stiftanzahl | 3 |
Leitungsform | Gull-wing |