| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 40 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 180 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 1.2@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 75@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 75 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 4630@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 125000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 10 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 5 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 19 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 9 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Temperaturbereich Lieferant | Automotive |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Leiterplatte geändert | 5 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | HSOF |
| Stiftanzahl | 6 |
