| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Single |
| Prozesstechnologie | TMOS |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 650 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 18 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 5.7 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 26 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 150 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 94@18V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 22@18V |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 5 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 6 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 90 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 744@400V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 9@400V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 3.5 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 86 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 96000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 6 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 14.6 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 21.6 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 18.2 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tube |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 69 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 4 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 7.5 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 53 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 4.5 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 18 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 21 |
| Verpackungsbreite | 5 |
| Verpackungslänge | 15.8 |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO-247 |
| Lieferantenverpackung | TO-247 |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Through Hole |
