Meist Gekauft
Infineon Technologies AGIPD082N10N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
| Compliant with Exemption | |
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.29.00.95 | |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 2.41(Max) mm |
| Verpackungsbreite | 6.22(Max) mm |
| Verpackungslänge | 6.73(Max) mm |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO-252 |
| Lieferantenverpackung | DPAK |
| 3 | |
| Leitungsform | Gull-wing |
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Infineon Technologies' IPD082N10N3GATMA1 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 125000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes optimos 3 technology.
| EDA / CAD Models |
Suchen Sie immer noch nach den Teilen, die Sie brauchen?
Suchen Sie seltene Bauteile auf Verical.com, dem Marktplatz für elektronische Teile.