ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Power MOSFET |
Konfiguration | Single |
Prozesstechnologie | CoolMOS P7 |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 600 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 4 |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 37 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 80@10V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 51@10V |
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 51 |
Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 15 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 2180@400V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 129000 |
Typische Abfallzeit (ns) | 5 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 10 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 70 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 15 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Verpackung | Tube |
Befestigung | Through Hole |
Verpackungshöhe | 21 |
Verpackungsbreite | 5 |
Verpackungslänge | 15.8 |
Leiterplatte geändert | 3 |
Tab | Tab |
Standard-Verpackungsname | TO-247 |
Lieferantenverpackung | TO-247 |
Stiftanzahl | 3 |
Leitungsform | Through Hole |