| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Prozesstechnologie | HEXFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 40 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3.9 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 95 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 4.5@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 45@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 45 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 15 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 2110@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 83000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 19 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 35 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 25 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 7.8 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Tube |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 9.02(Max) |
| Verpackungsbreite | 4.83(Max) |
| Verpackungslänge | 10.67(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO-220 |
| Lieferantenverpackung | TO-220AB |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Through Hole |
