| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| HTS | 8542.32.00.24 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | Mobile-DDR SDRAM |
| Dichte (bit) | 256M |
| Organisation | 8Mx32 |
| Zahl der internen Banken | 4 |
| Anzahl der Worte pro Bank | 2M |
| Anzahl der Bits pro Wort (bit) | 32 |
| Datenbusbreite (bit) | 32 |
| Max. Taktfrequenz (MHz) | 200 |
| Max. Zugriffzeit (ns) | 5|8 |
| Adressbusbreite (bit) | 14 |
| Schnittstellenart | LVCMOS |
| Mindestbetriebsspannung (V) | 1.7 |
| Typische Betriebsversorgungsspannung (V) | 1.8 |
| Max. Betriebsversorgungsspannung (V) | 1.95 |
| Max. Betriebsstrom (mA) | 140 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 85 |
| Temperaturbereich Lieferant | Industrial |
| Anzahl der E/A-Leitungen (bit) | 32 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.8(Max) |
| Verpackungsbreite | 8 |
| Verpackungslänge | 13 |
| Leiterplatte geändert | 90 |
| Standard-Verpackungsname | BGA |
| Lieferantenverpackung | TFBGA |
| Stiftanzahl | 90 |
| Leitungsform | Ball |
