| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8542.32.00.36 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | DDR3 SDRAM |
| Dichte (bit) | 4G |
| Organisation | 256Mx16 |
| Zahl der internen Banken | 8 |
| Anzahl der Worte pro Bank | 32M |
| Anzahl der Bits pro Wort (bit) | 16 |
| Datenbusbreite (bit) | 16 |
| Max. Taktfrequenz (MHz) | 1866 |
| Max. Zugriffzeit (ns) | 20 |
| Adressbusbreite (bit) | 18 |
| Prozesstechnologie | CMOS |
| Mindestbetriebsspannung (V) | 1.425 |
| Typische Betriebsversorgungsspannung (V) | 1.5 |
| Max. Betriebsversorgungsspannung (V) | 1.575 |
| Max. Betriebsstrom (mA) | 310 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 95 |
| Temperaturbereich Lieferant | Industrial |
| Anzahl der E/A-Leitungen (bit) | 16 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1(Max) |
| Verpackungsbreite | 9 |
| Verpackungslänge | 13 |
| Leiterplatte geändert | 96 |
| Lieferantenverpackung | TWBGA |
| Stiftanzahl | 96 |
