| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8542.39.00.01 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Treiberkonfiguration | Inverting|Non-Inverting |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Typ | IGBT|MOSFET |
| Anzahl der Ausgänge | 1 |
| Max. Anstiegszeit (ns) | 20(Typ) |
| Max. Abfallzeit (ns) | 20(Typ) |
| Max. Laufzeitverzögerungszeit (ns) | 76(Typ) |
| Eingangslogikkompatibilität | CMOS |
| Mindestbetriebsspannung (V) | 3|15 |
| Max. Betriebsversorgungsspannung (V) | 5.5|30 |
| Spitzenausgangsstrom (A) | 5(Typ) |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1255 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 125 |
| Spezielle Funktionen | Under Voltage Lockout |
| Verriegelt-Sicherstellung | Yes |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 2.35(Max) |
| Verpackungsbreite | 7.6(Max) |
| Verpackungslänge | 10.5(Max) |
| Leiterplatte geändert | 16 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | SOIC |
| Stiftanzahl | 16 |
| Leitungsform | Gull-wing |
Create an effective common drain amplifier using this ISO5451DWR power MOSFET from Texas Instruments. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components.
