| Compliant with Exemption | |
| EAR99 | |
| Active | |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 26.59(Max) |
| Verpackungsbreite | 5.31(Max) |
| Verpackungslänge | 20.29(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-264 |
| 3 |
Minimize the current at your gate with the IXBK55N300 IGBT transistor from Ixys Corporation. It has a maximum collector emitter voltage of 3000 V. Its maximum power dissipation is 625000 mW. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a single configuration.
| EDA / CAD Models |
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