ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | NRND |
HTS | 8542.39.00.01 |
Automotive | No |
PPAP | No |
Kategorie | Power MOSFET |
Prozesstechnologie | HiperFET |
Konfiguration | Single |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 500 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 48 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 100@10V |
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 270@10V |
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 270 |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 8400@25V |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 500000 |
Typische Abfallzeit (ns) | 30 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 60 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 100 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 30 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
Befestigung | Through Hole |
Verpackungshöhe | 26.16(Max) |
Verpackungsbreite | 5.13(Max) |
Verpackungslänge | 19.96(Max) |
Leiterplatte geändert | 3 |
Tab | Tab |
Standard-Verpackungsname | TO |
Lieferantenverpackung | TO-264AA |
Stiftanzahl | 3 |