| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Prozesstechnologie | HiperFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 300 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 6 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 70 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 10 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 54@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 98@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 98 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 4735@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 830000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 9 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 14 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 38 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 33 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 5.1(Max) |
| Verpackungsbreite | 14(Max) |
| Verpackungslänge | 16.05(Max) |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Tab | Tab |
| Lieferantenverpackung | TO-268 |
| Stiftanzahl | 3 |
