| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1000 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 2 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 7500@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 24.3@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 24.3 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 655@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 86000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 27 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 29 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 80 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 25 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 4.7(Max) |
| Verpackungsbreite | 9.4(Max) |
| Verpackungslänge | 10.41(Max) |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO-263 |
| Lieferantenverpackung | D2PAK |
| Stiftanzahl | 3 |
