| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Prozesstechnologie | TrenchP |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±15 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 76 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 25@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 197@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 197 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 13700@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 298000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 20 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 40 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 52 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 25 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 4.83(Max) |
| Verpackungsbreite | 9.65(Max) |
| Verpackungslänge | 10.29(Max) |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Tab | Tab |
| Lieferantenverpackung | TO-263AA |
| Stiftanzahl | 3 |
