RoHS EU | Compliant |
ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Obsolete |
HTS | EA |
Automotive | No |
PPAP | No |
Konfiguration | Dual |
Kanalmodus | Enhancement |
Kanalart | N |
Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
Betriebsweise | Class AB |
Max. Drain-Source-Spannung (V) | 500 |
Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 6.5 |
Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 10 |
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 50 |
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 1000@20V |
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 622@400V |
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 12@400V |
Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 77@400V |
Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 3.8 |
Max. Leistungsaufnahme (mW) | 10000 |
Typischer Leistungsgewinn (dB) | 13 |
Max. Frequenz (MHz) | 175 |
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 4 |
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 4 |
Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 65 |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
Befestigung | Surface Mount |
Verpackungshöhe | 3.18 |
Verpackungsbreite | 16.61 |
Verpackungslänge | 22.86 |
Leiterplatte geändert | 8 |
Stiftanzahl | 8 |