| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Konfiguration | Single |
| Typ | MOSFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 600 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 18 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 530(Typ)@20V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 42@10V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 2040@480V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 20@480V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 160@480V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3000 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 4 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 4 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 21.34(Max) |
| Verpackungsbreite | 5.21(Max) |
| Verpackungslänge | 16.13(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Lieferantenverpackung | ISOPLUS 247 |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Through Hole |
