| RoHS EU | Not Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | NPN |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Kollektor-Basis-Spannung (V) | 60 |
| Max. Kollektor-Emitterspannung (V) | 30 |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannungsbereich (V) | 30 to 40 |
| Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V) | 1@10mA@100mA |
| Max. Emitter-Basis-Spannung (V) | 3.5 |
| Max. DC-Kollektorstrom (A) | 0.4 |
| Max. DC-Kollektorstrombereich (A) | 0.12 to 0.5 |
| Mindestgleichstromverstärkung | 25@50mA@5V|8@360mA@5V |
| Mindest-Gleichstromverstärkungsbereich | 2 to 30 |
| Typische Eingangskapazität (pF) | 3.5(Max) |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1000 |
| Ausgabeleistung (W) | 2 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 200 |
| Temperaturbereich Lieferant | Military |
| Durchmesser | 9.4(Max) |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 6.6(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-39 |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Through Hole |
