| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.21.00.75 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | NPN |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Kollektor-Basis-Spannung (V) | 30 |
| Max. Kollektor-Emitterspannung (V) | 15 |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannungsbereich (V) | <20 |
| Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V) | 0.4@1mA@10mA |
| Max. Emitter-Basis-Spannung (V) | 3 |
| Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V) | 1@1mA@10mA |
| Max. DC-Kollektorstrom (A) | 0.05 |
| Max. DC-Kollektorstrombereich (A) | 0.001 to 0.06 |
| Max. Emitter-Reststrom (nA) | 10000 |
| Max. Kollektorsperrstrom (nA) | 1000 |
| Vorspannungsbedingungen im Betrieb | 12V/6mA |
| Mindestgleichstromverstärkung | 10@0.5mA@10V|20@10mA@10V|20@3mA@1V |
| Mindest-Gleichstromverstärkungsbereich | 2 to 30 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 200 |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 15(Min) |
| Max. Rauschmaß (dB) | 6 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 200 |
| Temperaturbereich Lieferant | Military |
| Durchmesser | 5.84(Max) |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 5.33(Max) |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-72 |
| Stiftanzahl | 4 |
