| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8542.33.00.01 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | Wideband Amplifier |
| Herstellerart | Wideband Amplifier |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 2 |
| Prozesstechnologie | BiFET |
| Max. Eingangs-Offsetspannung (mV) | 10@±15V |
| Mindest-Doppelversorgungsspannung (V) | ±5 |
| Typische Doppelversorgungsspannung (V) | ±9|±12|±15 |
| Max. Doppelversorgungsspannung (V) | ±18 |
| Max. Eingangs-Offsetstrom (uA) | 0.0001@±15V |
| Typischer Eingangs-Bias-Strom (uA) | 0.00005@±15V |
| Max. Eingangs-Bias-Strom (uA) | 0.0002@±15V |
| Max. Versorgungsstrom (mA) | 6.5@±15V@0C to 70C |
| Typischer Ausgangsstrom (mA) | 20 |
| Spannungsversorgungsart | Dual |
| Typische Anstiegsgeschwindigkeit (V/us) | 13@±15V |
| Typische Eingangsrauschen-Spannungsdichte (nV/rtHz) | 16@±15V |
| Typischer Spannungsgewinn (dB) | 100 |
| Typische Stromrauschdichte des nicht invertierenden Eingangs (pA/rtHz) | 0.01@±15V |
| Mindest-Störspannungsunterdrückung (PSRR) (dB) | 70 |
| Mindest-Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) (dB) | 70 |
| Typisches Gewinnbandbreiten-Produkt (MHz) | 4 |
| Typische Einschwingzeit (ns) | 2000 |
| Abschaltunterstützung | No |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | 0 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 70 |
| Verpackung | Tube |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.5(Max) |
| Verpackungsbreite | 3.98(Max) |
| Verpackungslänge | 5(Max) |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | SOIC |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | Gull-wing |
