RoHS EU | Compliant |
ECCN (USA) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8542.33.00.01 |
Automotive | No |
PPAP | No |
Typ | High Speed Amplifier |
Herstellerart | High Speed Amplifier |
Anzahl der Kanäle pro Chip | 1 |
Prozesstechnologie | BiFET |
Max. Eingangs-Offsetspannung (mV) | 1@±15V |
Mindest-Doppelversorgungsspannung (V) | ±10 |
Typische Doppelversorgungsspannung (V) | ±12|±15|±18 |
Max. Doppelversorgungsspannung (V) | ±20 |
Max. Eingangs-Offsetstrom (uA) | 0.00002@±15V |
Max. Eingangs-Bias-Strom (uA) | 0.00015@±15V |
Max. Versorgungsstrom (mA) | 7@±15V |
Spannungsversorgungsart | Dual |
Typische Anstiegsgeschwindigkeit (V/us) | 24@±15V |
Typische Eingangsrauschen-Spannungsdichte (nV/rtHz) | 30@±15V |
Typischer Spannungsgewinn (dB) | 112.04 |
Typische Stromrauschdichte des nicht invertierenden Eingangs (pA/rtHz) | 0.0018@±15V |
Mindest-Störspannungsunterdrückung (PSRR) (dB) | 86 |
Mindest-Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) (dB) | 82 |
Typisches Gewinnbandbreiten-Produkt (MHz) | 8 |
Typische Einschwingzeit (ns) | 1300 |
Abschaltunterstützung | No |
Mindestbetriebstemperatur (°C) | 0 |
Max. Betriebstemperatur (°C) | 70 |
Temperaturbereich Lieferant | Commercial |
Verpackung | Tube |
Befestigung | Through Hole |
Verpackungshöhe | 3.3 mm |
Verpackungsbreite | 6.48 mm |
Verpackungslänge | 10.16(Max) mm |
Leiterplatte geändert | 8 |
Standard-Verpackungsname | DIP |
Lieferantenverpackung | PDIP N |
Stiftanzahl | 8 |
Leitungsform | Through Hole |