| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8542.33.00.01 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | High Speed Amplifier |
| Herstellerart | High Speed Amplifier |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 1 |
| Prozesstechnologie | BiFET |
| Max. Eingangs-Offsetspannung (mV) | 0.7@±15V |
| Mindest-Doppelversorgungsspannung (V) | ±4 |
| Typische Doppelversorgungsspannung (V) | ±12|±15|±18|±5|±9 |
| Max. Doppelversorgungsspannung (V) | ±20 |
| Max. Eingangs-Offsetstrom (uA) | 0.00002@±15V |
| Typischer Eingangs-Bias-Strom (uA) | 0.00003@±15V |
| Max. Eingangs-Bias-Strom (uA) | 0.00015@±15V |
| Max. Versorgungsstrom (mA) | 4@±15V |
| Spannungsversorgungsart | Dual |
| Typische Anstiegsgeschwindigkeit (V/us) | 12@±15V |
| Typische Eingangsrauschen-Spannungsdichte (nV/rtHz) | 30@±15V |
| Typischer Spannungsgewinn (dB) | 112.04 |
| Typische Stromrauschdichte des nicht invertierenden Eingangs (pA/rtHz) | 0.0018@±15V |
| Mindest-Störspannungsunterdrückung (PSRR) (dB) | 88 |
| Mindest-Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) (dB) | 83 |
| Typisches Gewinnbandbreiten-Produkt (MHz) | 4.5 |
| Abschaltunterstützung | No |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | 0 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 70 |
| Temperaturbereich Lieferant | Commercial |
| Verpackung | Tube |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 3.3 |
| Verpackungsbreite | 6.48 |
| Verpackungslänge | 10.16(Max) |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | DIP |
| Lieferantenverpackung | PDIP N |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | Through Hole |
