| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8542.33.00.01 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | High Speed Amplifier |
| Herstellerart | High Speed Amplifier |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 1 |
| Prozesstechnologie | BiCOM |
| Max. Eingangs-Offsetspannung (mV) | 0.6@±5V |
| Mindest erforderliche einzelne Versorgungsspannung (V) | 5 |
| Typische einzelne Versorgungsspannung (V) | 12|15|18|24|28|9 |
| Max. Einzelversorgungsspannung (V) | 36 |
| Mindest-Doppelversorgungsspannung (V) | ±2.5 |
| Typische Doppelversorgungsspannung (V) | ±12|±15|±3|±5|±9 |
| Max. Doppelversorgungsspannung (V) | ±18 |
| Max. Eingangs-Offsetstrom (uA) | 0.015@±15V |
| Max. Eingangs-Bias-Strom (uA) | 0.05@±15V |
| Max. Versorgungsstrom (mA) | 0.3@±5V |
| Typischer Ausgangsstrom (mA) | 7.6@±5V |
| Spannungsversorgungsart | Dual|Single |
| Typische Anstiegsgeschwindigkeit (V/us) | 50@±5V |
| Typische Eingangsrauschen-Spannungsdichte (nV/rtHz) | 14@±15V |
| Typischer Spannungsgewinn (dB) | 95.56 |
| Typische Stromrauschdichte des nicht invertierenden Eingangs (pA/rtHz) | 0.5@±15V |
| Mindest-Störspannungsunterdrückung (PSRR) (dB) | 90 |
| Mindest-Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) (dB) | 78 |
| Typisches Gewinnbandbreiten-Produkt (MHz) | 2.7 |
| Typische Einschwingzeit (ns) | 1400 |
| Abschaltunterstützung | Yes |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 85 |
| Verpackung | Tube |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.5(Max) |
| Verpackungsbreite | 3.99(Max) |
| Verpackungslänge | 5(Max) |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | SOIC N |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | Gull-wing |
