| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8542.33.00.01 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | High Speed Amplifier |
| Herstellerart | High Speed Amplifier |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 2 |
| Zwischen den Versorgungsspannungsanschlüssen | Rail to Rail Output |
| Prozesstechnologie | CMOS |
| Ausgangsart | CMOS |
| Max. Eingangs-Offsetspannung (mV) | 0.65@5V |
| Mindest erforderliche einzelne Versorgungsspannung (V) | 2.8 |
| Typische einzelne Versorgungsspannung (V) | 3|5 |
| Max. Einzelversorgungsspannung (V) | 10.5 |
| Mindest-Doppelversorgungsspannung (V) | ±1.4 |
| Typische Doppelversorgungsspannung (V) | ±5 |
| Max. Doppelversorgungsspannung (V) | ±5.25 |
| Max. Eingangs-Offsetstrom (uA) | 0.0000005(Typ)@5V |
| Typischer Eingangs-Bias-Strom (uA) | 0.000001@5V |
| Max. Eingangs-Bias-Strom (uA) | 0.000075@5V@-40C to 85C |
| Max. Versorgungsstrom (mA) | 14.8@5V@-40C to 85C |
| Spannungsversorgungsart | Dual|Single |
| Typische Anstiegsgeschwindigkeit (V/us) | 35@5V@-40C to 85C |
| Typische Eingangsrauschen-Spannungsdichte (nV/rtHz) | 8@5V |
| Typischer Spannungsgewinn (dB) | 127.96 |
| Typische Stromrauschdichte des nicht invertierenden Eingangs (pA/rtHz) | 0.00056@5V |
| Mindest-Störspannungsunterdrückung (PSRR) (dB) | 75 |
| Mindest-Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) (dB) | 74 |
| Typisches Gewinnbandbreiten-Produkt (MHz) | 50 |
| Typische Einschwingzeit (ns) | 535 |
| Abschaltunterstützung | No |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 85 |
| Temperaturbereich Lieferant | Industrial |
| Verpackung | Tube |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.75(Max) |
| Verpackungsbreite | 3 |
| Verpackungslänge | 3 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | DFN |
| Lieferantenverpackung | DFN EP |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | No Lead |
