| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | 8541.29.00.75 |
| SVHC | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Konfiguration | Dual Common Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Betriebsweise | Pulse |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 120 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 10 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 10000 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 100 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 506@50V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 3.3@50V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 147@50V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1333000 |
| Ausgabeleistung (W) | 1000(Typ) |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 20 |
| Max. Frequenz (MHz) | 500 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 10 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 64 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 4.83(Max) mm |
| Verpackungsbreite | 10.29(Max) mm |
| Verpackungslänge | 41.28(Max) mm |
| Leiterplatte geändert | 5 |
| Lieferantenverpackung | NI-1230 |
| Stiftanzahl | 5 |
