| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | 8541.29.00.75 |
| SVHC | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Betriebsweise | Pulse |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.4 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 10 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 10000 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 100 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 695@50V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 0.46@50V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 352@50V |
| Ausgabeleistung (W) | 275(Typ) |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 20.3 |
| Max. Frequenz (MHz) | 1215 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 900 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 65.5 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 4.32(Max) mm |
| Verpackungsbreite | 9.91(Max) mm |
| Verpackungslänge | 34.16(Max) mm |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Lieferantenverpackung | NI-780 |
| Stiftanzahl | 3 |
