| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Material | GaN |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Betriebsweise | CW |
| Prozesstechnologie | HEMT |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 125 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 0 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.3 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 20 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 5000 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 51@50V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 1@50V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 7.7@50V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 232000 |
| Ausgabeleistung (W) | 125(Typ) |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 18 |
| Max. Frequenz (MHz) | 2700 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 1 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 66.8 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 4.45(Max) |
| Verpackungsbreite | 5.97(Max) |
| Verpackungslänge | 20.45(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Lieferantenverpackung | NI-360H-2SB |
| Stiftanzahl | 3 |
