| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 9030.90.84.00 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Konfiguration | Single |
| Typ | MOSFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Betriebsweise | CW |
| Prozesstechnologie | LDMOS |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 133 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.7 |
| Max. Stehwellenverhältnis (VSWR) | 65 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 1000 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 10 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 149@50V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 0.96@50V |
| Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF) | 43.4@50V |
| Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S) | 7.1 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 182000 |
| Ausgabeleistung (W) | 115(Typ) |
| Typischer Leistungsgewinn (dB) | 21.1 |
| Max. Frequenz (MHz) | 250 |
| Mindestfrequenz (MHz) | 1.8 |
| Typischer Drain-Wirkungsgrad (%) | 76.7 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 8.39(Min) |
| Verpackungsbreite | 4.83(Max) |
| Verpackungslänge | 10.47(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-220 |
| Stiftanzahl | 3 |
